摘要 面对日益增长的大容量需求, NAND闪存技术不断进步并实现了一系列突破,然而,存储密度的不断提升也极大程度削弱了NAND闪存系统的抗干扰能力.因此,针对NAND闪存存储系统中的差错控制码进行优化设计成为一个重要课题.本文首先对NAND闪存存储系统中的干扰源进行了全面分析,考虑到存储单元阈值电压的非对称非高斯特性,采用修正Student’s t分布对其建模.此外,考虑了实际NAND闪存中的量化问题,利用离散非对称密度进化算法分析了不同量化位宽和量化范围对LDPC码的影响,并对非规则LDPC码进行了优化设计.最后,以IEEE闪存标准中的LDPC码本为基础,对码本中的参数进行优化设计.仿真结果表明,经过优化设计的LDPC码本在存储单元的正常使用周期内,纠错性能提升1个数量级以上,并且能够有效延长存储单元的使用寿命.

关键词 NAND闪存系统; 低密度奇偶校验码; 修正 Student's t 模型; 非对称密度进化算法; 量化; NAND flash memory system; low-density parity-check codes; modified Student's t-model; asymmetric density evolution algorithm; quantization