摘要 本文提出并实现了一种利用超宽带光探测器进行光子混频的太赫兹噪声发生器.通过改进外延结构和电极结构,首次在国内实现3 d B带宽超过200 GHz的单行载流子光电探测器(uni-travelingcarrier photodiode, UTC-PD).封装后的UTC-PD模块可在140～220 GHz频段内实现平坦的太赫兹波输出.利用该探测器模块作为光混频器制作了光子噪声发生器,产生了频率范围为140～220 GHz,超噪比(excess noise ratio, ENR)大于35 dB,平坦度小于±4.6 dB的太赫兹噪声,并且可以通过调节输入光功率实现超噪比的调谐.

关键词 噪声发生器; 太赫兹噪声; 光子混频; 单行载流子光电探测器; 光电转换; noise generator; terahertz noise; photo-mixing; uni-traveling-carrier photodiode; opto-electrical conversion

摘要 光刻机是集成电路制造中最为核心的高端装备,在60余年的发展历程中不断挑战人类超精密制造装备的极限,推动着摩尔定律的持续向前和信息时代的飞速发展,对于科技进步、国民经济、国家安全具有极为重要的战略意义.本文阐述了光刻机在集成电路制造装备中的核心地位,介绍了光刻的基本原理,梳理了国际上光刻机从20世纪60年代至今的发展脉络,围绕光刻机三大核心部件分析了光刻机中的关键技术及面临的极限技术挑战.在此基础上,本文展望了未来光刻机的发展趋势和未来方向.

关键词 集成电路; 光刻机; 关键技术; 发展前沿; 未来挑战; integrated circuit; IC; lithography machine; key technology; development frontier; future challenge

摘要 电注入半导体激光器相较于其他类型激光器具有电光转换效率高、体积小、寿命长等优势,近年来在显示、材料加工、医疗、通讯等领域的市场占有份额日益增长.激光器的模式特性直接影响激光器的输出性能,如功率、光束质量、光谱线宽等通过引入人工微结构,结合宇称时间对称、连续谱束缚态以及多模腔杂化调控手段,不仅可以拓展半导体激光器的物理研究范畴,同时有效优化激光器的性能,进一步增加了半导体激光器的多元应用场景.本文从模式调控的角度出发,对电注入下的人工微结构半导体激光器展开综述,包括国内外研究发展现状、物理原理以及相应的应用,最后进行了总结与展望.

关键词 宇称时间对称; 非厄米拓扑; 连续谱束缚态; 复合腔; 激光器; parity-time symmetry; non-Hermitian topology; bound states in the continuum; compound cavity; laser;

摘要 外腔型半导体激光器具有低噪声、高边模抑制比、高温度稳定性、结构简单、成本低等优势,已成为实现宽调谐和窄线宽特性的优选方案,被广泛应用于光通信、激光雷达、环境监测、光谱分析、光学相干断层扫描等前沿领域.本文详细介绍了宽调谐窄线宽外腔型半导体激光器的技术方案和发展现状.按照不同的结构分类,深入分析其结构、工作原理及性能特点,讨论近年来国际前沿研究方案的结构特点、关键技术、光学性能和应用领域.最后,对宽调谐窄线宽外腔型半导体激光器面临的挑战和潜在的发展前景作出分析和展望.

关键词 宽调谐; 窄线宽; 外腔半导体激光器; 半导体激光器; Littrow; Littman; wide tuning; narrow linewidth; external-cavity diode laser; semiconductor laser; Littrow; Littman;