信息器件 新材料 评述 Website Google Scholar PDF

《中国科学》创刊75周年专刊

二维半导体的迁移率物理模型与仿真

董先声, 施毅, 黎松林
中国科学: 信息科学, 2025, 55(12): 3080-3098

关键词 器件建模; 场效应晶体管; 散射机制; 载流子迁移率; device modeling; field-effect transistor; scattering mechanism; carrier mobility

引用格式 董先声, 施毅, 黎松林. 二维半导体的迁移率物理模型与仿真. 中国科学: 信息科学, 2025, 55(12): 3080-3098, doi: 10.1360/SSI-2025-0417
Xiansheng DONG, Yi SHI, Songlin LI. Physical models and simulation of carrier mobility in two-dimensional semiconductors. Sci Sin Inform, 2025, 55(12): 3080-3098, doi: 10.1360/SSI-2025-0417

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新型二维材料与器件应用专题 (2023) 简介

王欣然, 倪振华, 何军, 吕俊鹏
中国科学: 信息科学, 2023, 53(6): 1230-1231

关键词 二维材料; 异质结构; 二维半导体; 器件应用;

引用格式 王欣然, 倪振华, 何军, 等. 新型二维材料与器件应用专题 (2023) 简介. 中国科学: 信息科学, 2023, 53(6): 1230-1231, doi: 10.1360/SSI-2023-0152